7月11-13日，2023年慕尼黑上海电子展在国家会展中心(上海)举办。作为一个集设计、研发、生产、销售和服务为一体的功率半导体器件领域内的IDM 高新技术企业，皇庭国际（000056.SZ）子公司意发功率携核心产品亮相展会（展台7.2C310），聚焦工控通信、工业感应加热、光伏发电、风力发电、充电桩和新能源车等领域，向业界全面、系统地展示以FRD、IGBT、SBD 和GaN HEMT为生态的产品布局，彰显出细分领域领导者的技术实力以及高质量发展的创新活力。

集成电路产业是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。皇庭国际立足国家所需，成体系布局功率半导体器件等集成电路工艺设备，汇聚一流人才提升自主创新能力，全力突破产业链供应链堵点难点。子公司意发功率以FRD、SBD 、IGBT和GaN HEMT产品为切入点，以电流15-100A的450V，600V，1200V，1700V平面和沟槽型IGBT、增强型氮化镓晶体管为主攻方向，开发和生产世界先进水平的低能耗功率开关器件。目前，具备年产24万片6寸功率晶圆的能力。

其中，主要的展示亮点包括：

快恢复二极管(FRD)

意发功率半导体釆用平面工艺生产的外延快恢复二极管具有快恢复时间短、低漏电流、低正向压降、高抗浪涌能力、 软恢复等特点， 主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器、电焊机等电子电路中， 其应用已经覆盖家用、工 业、军工等各个行业。

绝缘栅双极性晶体管(IGBT)

意发在自主研发的600V1200V沟槽和平面GBT技术平台上， 开发出多款GBT及配套的FRD产品，具有饱和压降低， 开关损耗小，抗短路能力强，正温度系数，易于并联等特点，主要应用于电磁炉、变频器、电焊机和充电桩等领域， 替代海外进口产品，主要规格有15A/20A30A40A75A等。

肖特基二极管(SBD)

肖特基势垒二极管具有开关频率高和正向压降低等特点，主要应用于高开关电路、低压高频整流电路、开关电源、电 子变压器、传感器、电话机等领域。

增强型氮化镓晶体管(GaN HEMT)

氮化镓 (GaN) 是属于第三代半导体 ，又被称为宽禁带半导体 ，其和第一代的硅 (Si) 以及第二代的砷化镓 (GaAs) 等相比，其在性能上有更突出的优势： 由于禁带宽度大、导热率高，氮化镓器件可在200°C以上的高温下 工作，能够承载更高的能量密度，且可靠性更高。

展会现场，意发功率展台吸引了多家客户，众多业界专家、合作伙伴、投资人和行业媒体的关注和到访，展台热度异常火爆。到场人员详细了解公司情况，询问产品技术细节，与展台工作人员深入探讨合作机会，共同寻求未来发展的新机遇。

从 2018年创立至今，意发功率取得了跨越式的发展。随着公司2022年获得皇庭国际的投资并控股，公司也将迈入更加快速的发展新阶段。目前，公司发展战略清晰，组织和人才策略不断夯实，在核心技术上进一步高筑竞争壁垒。未来在国家半导体产业发展布局整体政策的指导下，皇庭国际将继续响应国家号召、贴近产业发展需求、发挥自身技术优势、推出更多产品、解决更多产业链关键问题，为中国半导体产业发展做出更大贡献。